特點：
·數字化(huà)(huà)系統協同設計(jì)、MEMS工(gōng)藝制(zhì)造
·SiO2層絕緣隔離(lí)擴散矽敏感電阻
·消除PN結反向飽和漏電流、時漂特性優化(huà)(huà)
·适應高寬工(gōng)作溫度範圍
·自(zì)補償恒流激勵滿量程熱(rè)漂移
·多種惠斯登電橋開(kāi)/閉合連接形式
·應力匹配玻璃襯片隔離(lí)
·表壓、絕壓、差壓類型齊全
·覆蓋低(dī)、中(zhōng)、高寬壓力測量量程
主要技術指标
序号 | 項目 | 規格指标 | 備注 |
1 | 基準壓力量程 | 表壓、差壓 | 絕壓 |
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0～1kPa、2kPa、3kPa、6kPa、10kPa、20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、10MPa | 100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、 6MPa、10MPa、20MPa、20MPa、40MPa、60MPa、100Mpa、150MP |
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2 | 量程過載能力 | ≥3倍基準量程（≤10MPa）； ≥1. 5倍基準量程（＞10MPa）； ≥1. 25倍基準量程（≥60MPa） | 1* |
3 | 橋路電阻 | 3～5kΩ |
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5 | 零點輸出 | ≤ ±25mV | 2* |
6 | 滿量程輸出 | ≥20mV（20kPa、35kPa）； ≥30 mV（20kPa、30kPa）； ≥50 mV（其它基準量程） | 2* |
7 | 準确度 | ≤ ±0.2%FS （其它基準量程）； ≤ ±0.25%FS （≤60kPa、≥60MPa、100MPa） ± 0.5%FS（≤10kPa） | 2*、3* |
8 | 靈敏度對稱性 | ≤ ±0.2%FS | 3* |
9 | 工(gōng)作溫度範圍 | -55～+150℃； |
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10 | 熱(rè)零點漂移 | ≤ 1%FS/55℃（≤10kPa）； ≤ 0.8%F.S /55℃（其它基準量程） | 4*、5* |
11 | 熱(rè)靈敏度漂移 | ≤2%FS/55℃（≤10kPa）； ≤ 1%F.S /55℃（其它基準量程） | 4*、5* |
12 | 短期穩定性 | ≤±0.03%FS/8h | 2* |
13 | 激勵電源 | 恒流0.5～1.5mA,或恒壓5V～10V |
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14 | 電橋連接形式 | 閉橋 |
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15 | 芯片表面尺寸 | ≤3.5×2.75（mm） | ≤2.3×2（mm） | ≤1.55×1.55（mm） | 6* |
注：1*. 150MPa量程過載為本量程上限； 4*. 1mADC恒流激勵，恒溫25℃；
2*. 5VDC恒壓激勵，恒溫25℃； 5*. 55℃溫區為-30～25℃或25～80℃；
3*. 非線性數據計(jì)算為最小二乘法； 6*.矽片厚度c=500μm。
可提供定制(zhì)服務，如有需求請(qǐng)與營銷人(rén)員聯系。
