特點：
·數字化(huà)(huà)系統協同設計(jì)、MEMS工(gōng)藝制(zhì)造
·微(wēi)一(yī)體(tǐ)化(huà)(huà)、同步測量壓力和溫度
·一(yī)體(tǐ)化(huà)(huà)封裝結構魯棒、可靠、性能穩定
·多種壓力與溫度類型組合、量程範圍寬
·适于壓力傳感器智能化(huà)(huà)
主要性能技術指标
序号 | 項目 | 規格指标 | 備注 |
1 | 組合敏感類型 | 表壓-溫度 | 絕壓-溫度 | 表壓-絕壓-溫度差 | 壓-靜壓-溫度 |
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2 | 壓力敏感芯片材質 | SOI矽單晶 |
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3 | 溫度元件(jiàn)類型 | 擴散矽、薄膜鉑電阻 |
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4 | 基準壓力量程 | 表壓、 | 絕壓 | 差壓 | 靜壓 | 1* |
30kPa、60kPa、100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa、6MPa、10MPa、30MPa | 100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa 6MPa、10MPa、30MPa、 | 10kPa、30kPa、60kPa、100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa、6MPa | 1MPa、6MPa、 10MPa、30MPa | 2* |
5 | 壓力過載能力 | 表壓、絕壓單向≥3倍（≤10MPa）、≥2倍（＞10MPa） | 差壓雙向≥5倍基準量程 | 1* |
6 | 被測介質 | 與金(jīn)屬、單晶矽兼容的非腐蝕性、絕緣氣體(tǐ)和液體(tǐ) |
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7 | 激勵電源 | 12±4VDC或 24±4VDC |
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8 | 輸出阻抗 | 200Ω（典型值） | 3* |
9 | 壓力輸出信号模式 | 0.5～5VDC | 2*、3*、4* |
10 | 壓力準确度 | ≤ ±0.25%FS （典型值） | 3*、4* |
11 | 工(gōng)作溫度 | -55～+125℃；-55～+180℃；-55～+240℃；-55～+300℃； | 5*、6*、2* |
12 | 熱(rè)零點漂移 | ≤± 1%FS/55℃ | 7* |
13 | 熱(rè)靈敏度漂移 | ≤±1%F.S /55℃ | 7* |
14 | 熱(rè)電阻标稱阻值 | 擴散矽30～60kΩ；鉑薄膜Pt100，Pt200，Pt500、Pt1000； | 2* |
15 | 熱(rè)電阻溫度系數 | 擴散矽≥30Ω/℃；鉑薄膜3850ppm/℃； | 2* |
16 | 絕緣電阻 | >100MW | 3*、8* |
17 | 短期穩定性 | ±0.05%FS/8h | 3* |
18 | 長(cháng)期穩定性 | ≤±0.1%FS/年 | 3* |
19 | 電氣連接形式 | 多芯線纜 |
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20 | 測量接口形式 | 外螺紋、法蘭 |
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注：1*. 無注明(míng)，差壓為單壓力敏感器件(jiàn)； 2*. 可用戶定制(zhì)；
3*. 恒溫25℃； 4*. 非線性算法為最小二乘法；
5*.;接插件(jiàn)和放大器工(gōng)作溫度-55℃～+125℃； 6*.-55℃為最低(dī)溫度，+400℃為最高溫度；
7*. -55～25℃或25～80℃； 8*. 100VDC；
可提供定制(zhì)服務，如有需求請(qǐng)與營銷人(rén)員聯系。
