
特點:
·自(zì)主閉環可控生(shēng)産高一(yī)緻性SOI敏感芯片和器件(jiàn)
·一(yī)體(tǐ)化(huà)(huà)緊湊裝配總成,結構期穩定可靠
·表壓、絕壓可組合,覆蓋低(dī)、中(zhōng)、高量程範圍
·多種壓力測量接口、電氣連接、信号傳輸模式,
·設計(jì)制(zhì)造柔性組合流程,支持客戶定制(zhì)
·應用領域——與不(bù)鏽鋼兼容的絕緣氣體(tǐ)和液體(tǐ)的壓力測量
主要技術性能指标
序号 | 項目 | 規格指标 | 備注 |
1 | 壓力接口路數 | 雙路 | 三路 | 四路 |
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2 | 壓力種類 | 表壓 絕壓 | 1* |
| 基準壓力量程 | 100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、 6MPa、10MPa、20MPa、30MPa、 | 1* |
2 | 過載能力 | ≥3倍基準量程(≤10MPa);≥1. 5倍基準量程(>10MPa); | 2* |
| 被測壓力介質 | 與不(bù)鏽鋼兼容的氣體(tǐ)和液體(tǐ) |
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3 | 激勵電源 | 12±4VDC或 24±4VDC | 1* |
| 激勵使用類型 | 共用或獨立 |
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4 | 單路最大功率 | ≤0.5W |
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| 單路輸出負載 | ≥10mA |
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5 | 輸出信号模式 | 0.5~5VDC | 1*、3* |
6 | 準确度 | ≤ ±0.25%FS(典型值) | 3*、4* |
7 | 準确度一(yī)緻性 | ≤ ±0.05%FS(典型值) | 3*、4* |
9 | 工(gōng)作溫度 | -55~+125℃ |
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10 | 零點熱(rè)漂移 | SOI芯片:≤±0.6%FS/55℃(典型值) | 5* |
11 | 滿量程熱(rè)漂移 | SOI芯片:≤±0.8%FS/55℃(典型值) | 5* |
12 | 絕緣電阻 | >100MW | 3*、6* |
13 | 短期穩定性 | ≤±0.05%FS/8h(典型值) | 3*. |
14 | 長(cháng)期穩定性 | <±0.1%FS/年(典型值) | 3*. |
15 | 電氣接線形式 | 多芯航空接插件(jiàn) |
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16 | 測量接口形式 | 螺紋 | 1* |
17 | 重量 | <500g(雙路)、<750g(三路)、300g(四路) |
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注:技術參數修改恕不(bù)通知
1*. 可用戶定制(zhì); 4*. 非線性數據計(jì)算為最小二乘法;
2*. 非靜壓,100MPa量程過載為本量程上限; 5*. 55℃溫區為-30~25℃或25~80℃;
3*. 恒溫25℃; 6*. 100VDC。
可提供定制(zhì)服務,如有需求請(qǐng)與營銷人(rén)員聯系。