‼️五十年代：奠基
1952年，成立電子計(jì)算機科研小組，由中(zhōng)科院數學所所長(cháng)華羅庚負責；
1956年，半導體(tǐ)技術作為四大緊急措施之一(yī)寫入中(zhōng)科院的學部委員們編撰德《十二年科學技術發展遠(yuǎn)景規劃》，獲得(de)批示；
‼️六七十年代：前進
1966年，中(zhōng)科院下(xià)屬109廠(chǎng)與上海光(guāng)學儀器廠(chǎng)協作，研制(zhì)成功我國(guó)第一(yī)台65型接觸式光(guāng)刻機；
1970年代，中(zhōng)國(guó)科學院開(kāi)始研制(zhì)計(jì)算機輔助光(guāng)刻掩模工(gōng)藝；
1971年，清華大學精密儀器系教師徐端頤，回京負責新一(yī)代光(guāng)刻機的研發；
1972年，武漢無線電元件(jiàn)三廠(chǎng)編寫《光(guāng)刻掩模版的制(zhì)造》；
1977年，光(guāng)刻機座談會(huì)在江蘇吳縣召開(kāi)；
1977年，中(zhōng)國(guó)第一(yī)台GK-3型半自(zì)動接觸式光(guāng)刻機誕生(shēng)，與國(guó)際水平有一(yī)定差距；
1978年，中(zhōng)科院1445所升級開(kāi)發GK-4，仍為接觸式，中(zhōng)美(měi)技術差距20年；
‼️八十年代前期：僅次美(měi)國(guó)，比肩日韓
1980年，徐端頤及其團隊研制(zhì)第四代分步式投影光(guāng)刻機獲得(de)成功，光(guāng)刻精度達到3微(wēi)米，接近國(guó)際主流水平；
1981年，中(zhōng)國(guó)科學院半導體(tǐ)所研制(zhì)成功JK-1型半自(zì)動接近式光(guāng)刻機；
1982年，科學院109廠(chǎng)的KHA-75-1光(guāng)刻機，估計(jì)跟當時最先進的canon相(xiàng)比最多也(yě)就(jiù)不(bù)到4年差距；
1984年，“撥改貸”，衆多半導體(tǐ)項目無奈停止；
1985年，中(zhōng)電科45所研制(zhì)出分步投影式光(guāng)刻機，通過電子部技術鑒定，認為達到1978年美(měi)國(guó)GCA公司推出的4800DSW水平。這應當是中(zhōng)國(guó)第一(yī)台分步投影式光(guāng)刻機，中(zhōng)國(guó)在分步光(guāng)刻機上與國(guó)外的差距不(bù)超過7年。後來的光(guāng)刻機巨頭ASML公司剛剛誕生(shēng)。
（國(guó)內(nèi)半導體(tǐ)産業(yè)薄弱，雖有光(guāng)刻機，沒有市(shì)場，也(yě)就(jiù)沒有商業(yè)化(huà)(huà)，機器都(dōu)隻是實驗室擺放，相(xiàng)關研究成果及論文，在通過專家評審後即被束之高閣，之後與國(guó)外差距越來越大。“紙(zhǐ)上談兵”，應該是對這個(gè)階段中(zhōng)國(guó)光(guāng)刻機技術的最好注解。）

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